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IRF9392PbF
50
40
30
ID = -9.8A
50
40
30
Vgs = -4.5V
20
T J = 125°C
20
10
0
T J = 25°C
10
0
Vgs = -10V
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-V GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
500
ID
TOP -2.0A
-ID, Drain Current (A)
Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current
1000
400
300
200
100
0
-2.8A
BOTTOM -7.8A
800
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Time (sec)
Fig 15 . Typical Power vs. Time
D.U.T *
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
?
-
-
?
+
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
?
R G
?
?
?
?
di/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Re-Applied
Voltage
Inductor Curre nt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple  ≤  5%
I SD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
* V GS = 5V for Logic Level Devices
www.irf.com
Fig 16. Diode Reverse Recovery Test Circuit for P-Channel HEXFET ? Power MOSFETs
5
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